Projets financés
Croissance de GaN non polaire et semi-polaire sur Si et substrats de saphir et investigation des processus optiques pour obtenir une haute efficacité quantique – GASIOPHE
L'objectif du projet est d'établir le protocole de croissance menant à l'optimisation de la croissance de GaN non-polaire et semi-polaire sur le silicium à la surface texturé par des motifs obtenu par des méthodes technologiques à bon marché et sur des substrats de saphir. Ceci étant démontré nos cr