Croissance de GaN non polaire et semi-polaire sur Si et substrats de saphir et investigation des processus optiques pour obtenir une haute efficacité quantique – GASIOPHE

L'objectif du projet est d'établir le protocole de croissance menant à l'optimisation de la croissance de GaN non-polaire et semi-polaire sur le silicium à la surface texturé par des motifs obtenu par des méthodes technologiques à bon marché et sur des substrats de saphir. Ceci étant démontré nos croîtrons ensuite, des dispositifs optroniques susceptibles d’émettre de la lumière dans les régions vertes et ambre du spectre de la lumière visible. La croissance de tels dispositifs en utilisant des substrats de saphir bon marché et sans texture en surface ne permet pas d’obtenir des résultats satisfaisants, en termes de performance des composants réalisés. Nous évaluerons des points de vue de l'économique et des points de vue des performances des composants en fonctionnement, les potentialités de cette approche de la croissance des nitrures croissance. Nous donnerons la priorité chronologique à la valorisation de nos inventions devant la rédaction de publication communes.
Nous devrons faire face à plusieurs difficultés sévères, pour adresser ce défi technologique. Dans la perspective d’apporter la réponse la plus fiable à cette approche technologique qui est une alternative à la technologie onéreuse basée sur l'utilisation de substrats GaN, nous a formé le consortium bicéphale suivant entre :
• un laboratoire de croissance de nitrures largement reconnu à l’échelle mondiale et dirigé par Professeur Hadis Morkoç de l'Université du Commonwealth en (Virginie) Commonwealth (équipe VCU) aux États-Unis.
• une équipe d’unité mixte de recherche CNRS-Université de Montpellier 2 (équipe CNRS-UM2 ci- après). Cette équipe est dirigée par docteur Bernard Gil, directeur de recherche à CNRS. Cette seconde équipe du consortium opérera dans sa zone d'excellence ; à savoir, la mesure des propriétés optiques, de l'efficacité quantique et la modélisation des matériaux et de leurs, hétéro structures, enfin de leurs dispositifs. Cette compétence est complémentaire à celle du partenaire américain.
Il est important de souligner que les leaders des deux groupes partenaires ont une expérience de collaborations réussies et fructueuses et se connaissent depuis longtemps. Il n'y a aucun recouvrement de compétences entre ces associés et les aides demandées pour résoudre le programme de recherche présenté ici sont elles aussi disjointes en termes des matériels dont l’acquisition est demandée. Le financement complémentaire à cet appel d'ANR a été demandé près du NSF par l'associé américain.