Plateforme FDSOI pour le node 11nm

L'objectif du projet FDSOI 11 est de maintenir et renforcer le leadership international du CEA LETI sur la technologie CMOS FDSOI et ses dérivés, en adressant un des challenges les plus importants des technologies SOI sub 20nm: l'utilisation de films SOI d'épaisseur ultramince de quelques nanomètres.

Pour répondre à cet objectif, 2 équipements 300mm spécifiquement adaptés pour le traitement des couches SOI ultraminces ont été acquis et installés par le CEALETI dans le cadre de l’EQUIPEX ?
1) Un équipement de traitement chimique de surface (DNS SU 3100) permettant, sans consommation du silicium, de préparer les plaques avant dépôt des empilements de grille métallique, épitaxies sélective, implantations ionique et siliciurations.
2) Un équipement de dépôts métalliques par pulvérisatiuon magnétron (APPLIED ENDURA) permettant de former les siliciures des grilles des transistors et les contacts sur film SOI ultramince.

Les 2 équipements de l’EQUIPEX sont totalement opérationnels (tranche 1 terminée) depuis 2012, et sont utilisés depuis pour le développement des procédés (tranche 2). De nombreux nouveaux procédés ont été mis au point, à la fois pour la métallurgie des contacts sur Si/SiGe, les nettoyages critiques et les gravures sélective de couches minces, ou encore le retrait sélectif d’empilement de résines photosensible.

Ce projet contribue de façon essentielle aux partenariats industriels sur le développement des technologies FDSOI et dérivées comme les nanofils ou l'intégration verticale de transistors, entre le CEA LETI et STMicroelectronics, SOITEC, APPLIED et GLOBALFOUNDRIES.
Le déploiement à l’international de la technologie FDSOI se poursuit en parallèle, avec la montée en puissance des grands fournisseurs de circuits intégrés ayant acquis la licence de cette technologie auprès de ST Microelectronics et corrélativement l'expension de la société SOITEC qui fournit les Substrats SOI, dont le chiffre d'affaire a affiché une croissance annuelle de 36%.