Boîtes quantiques d'InAs insérées dans une matrice de silicium – BIQUINIS

L'objectif du projet est d'ouvrir la voie au développement d'une filière optoélectronique à base de boîtes quantiques (BQ) III-V insérées dans une matrice de silicium et donc de viser la fonction « émission de lumière » pour la filière silicium. Une des limitations possibles à un tel développement provient de la nature probable de type II de l'interface InAs/Si. Le but de ce projet sera le cas échéant de contourner cette limitation. Il s'agira donc d'abord d'étudier les propriétés physiques de telles BQ d'InAs/Si tant d'un point de vue expérimental que théorique. On déterminera en particulier le type d'offset à l'interface entre le silicium (semiconducteur à gap indirect) et l'InAs (semiconducteur III-V à gap direct).Pour favoriser le cas échéant une interface de type I l'originalité de notre projet consistera à insérer les BQ d'InAs dans un puits quantique de silicium fabriqué à partir d'un substrat SOI. Ce sont les effets attendus de confinement du silicium qui favoriseront une interface de type I avec l'InAs. Il sera nécessaire de développer la croissance EJM auto-organisée de BQ d'InAs sur substrat silicium et substrat SOI aminci et leur encapsulation en optimisant l'émission autour de 1 3µm. Un démonstrateur de type microdisque sur substrat SOI contenant un plan de boîtes InAs insérées dans un puits quantique de silicium sera fabriqué puis testé afin d'évaluer les potentialités de cette filière pour réaliser des émetteurs de lumière sur silicium. - - ?