PRopriétés Electroniques d'Assemblages Autoorganisés à base de Nanofils – PREAANS

Le projet a pour objectif d’étudier les propriétés électroniques d’une population auto-organisée de nanofils (NF) Si/Ge obtenus par croissance VLS-CVD en fonction de leur diamètre et de leur composition ces deux paramètres étant uniformes et contrôlés. Ces NFs seront intégrés dans une filière technologique compatible avec les filières CMOS en réalisant un transistor vertical dont le canal sera constitué de NFs. L’intégration de NFs nécessite de développer des techniques pour auto-organiser ou positionner des catalyseurs compatibles CMOS ; ils définiront la répartition spatiale et l’uniformité des diamètres des NFs diamètres qui pourront être réduits par oxydation. La maîtrise de la croissance des NFs la réalisation d’hétérostructures Si/Ge et le dopage seront étudiés. Les NFs seront intégrés directement après croissance par une technologie de planarisation pour réaliser un transistor vertical à effet de champ. Les propriétés électroniques des NFs intégrés ou non seront étudiées via différentes techniques analysées en fonction des caractéristiques morphologiques et comparées avec celles des NFs obtenus par lithographie-gravure. Ceci nous permettra d’évaluer la pertinence de notre méthode pour l’application visée à moyen terme : intégration 3D de transistors MOSFET à canal NFs Si/Ge. A plus long terme la réalisation de fonctions optiques et logiques à partir d’un même matériaux dans des niveaux d’interconnections métalliques peut être envisageable.