Graphene heterostructures with Nitrides for high frequency Electronics – GraNitE
GraNitE
Hétérostructures Graphene Nitrures pour applications en électronique haute fréquence
Design, fabrication et caractérisation d'hétérostructures de Graphene avec des Nitrures d'éléments III
- Fabrication d'hétérostructures de Graphene avec des Nitrures d'éléments III épitaxiés par MBE ou MOCVD sur différents substrats (Al2O3, SiC, GaN, Si). 2 approches sont envisagées:(i) le transfert sur III-N de Graphene obtenu par CVD sur Cuivre; (ii) la croissance directe de Graphene sur III-N et de III-N sur Graphene.<br />- Caractérisations structurales et électriques des hétérostructures; étude des mécanismes de transport aux et à travers les interfaces<br />- Simulations multi-échelle en vue d'applications<br />- Démonstration d'un composant vertical métal/isolant/Graphene/AlGaN/GaN pour une électronique haute fréquence à faible dissipation
- hétéroépitaxie de III-N au moyen des techniques MOCVD et MBE
- croissance CVD de Graphene sur SiC et III-N
- transfert de Graphene sur hétérostructures III-N
- Caractérisation des matériaux (AFM, XRD, TEM)
- Fabrication de composants par lithographie, dépôts de métaux, gravures
- Caractérisations électriques des matériaux par Conductive AFM
- Caractérisations électriques des composants électroniques (I-V, C-V...)
- Livraison de structures HEMTs AlGaN/GaN épitaxiées sur Silicium
- Transfert de Graphene sur HEMTs
- Croissance CVD de Graphene sur SiC et AlN
- Optimization du dessin des structures HEMTs
- Croissance de III-N sur Graphene
- 1 publication dans un journal international (Physica Status Solidi a)
- 1 présentation orale dans une conférence internationale (EMRS Spring 2016)
- 1 présentation poster dans une conférence internationale (ICNS 2017)
Coordination du projet
Yvon Cordier (CNRS/Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (CRHEA))
L'auteur de ce résumé est le coordinateur du projet, qui est responsable du contenu de ce résumé. L'ANR décline par conséquent toute responsabilité quant à son contenu.
Partenaire
TopGaN
CNRS/CRHEA CNRS/Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (CRHEA)
STMicroelectronics
Aide de l'ANR 134 362 euros
Début et durée du projet scientifique :
décembre 2015
- 36 Mois