Graphene Flagship - Graphene Flagship

Graphene heterostructures with Nitrides for high frequency Electronics – GraNitE

GraNitE

Hétérostructures Graphene Nitrures pour applications en électronique haute fréquence

Design, fabrication et caractérisation d'hétérostructures de Graphene avec des Nitrures d'éléments III

- Fabrication d'hétérostructures de Graphene avec des Nitrures d'éléments III épitaxiés par MBE ou MOCVD sur différents substrats (Al2O3, SiC, GaN, Si). 2 approches sont envisagées:(i) le transfert sur III-N de Graphene obtenu par CVD sur Cuivre; (ii) la croissance directe de Graphene sur III-N et de III-N sur Graphene.<br />- Caractérisations structurales et électriques des hétérostructures; étude des mécanismes de transport aux et à travers les interfaces<br />- Simulations multi-échelle en vue d'applications<br />- Démonstration d'un composant vertical métal/isolant/Graphene/AlGaN/GaN pour une électronique haute fréquence à faible dissipation

- hétéroépitaxie de III-N au moyen des techniques MOCVD et MBE
- croissance CVD de Graphene sur SiC et III-N
- transfert de Graphene sur hétérostructures III-N
- Caractérisation des matériaux (AFM, XRD, TEM)
- Fabrication de composants par lithographie, dépôts de métaux, gravures
- Caractérisations électriques des matériaux par Conductive AFM
- Caractérisations électriques des composants électroniques (I-V, C-V...)

- Livraison de structures HEMTs AlGaN/GaN épitaxiées sur Silicium
- Transfert de Graphene sur HEMTs
- Croissance CVD de Graphene sur SiC et AlN

- Optimization du dessin des structures HEMTs
- Croissance de III-N sur Graphene

- 1 publication dans un journal international (Physica Status Solidi a)
- 1 présentation orale dans une conférence internationale (EMRS Spring 2016)
- 1 présentation poster dans une conférence internationale (ICNS 2017)

Coordination du projet

Yvon Cordier (CNRS/Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (CRHEA))

L'auteur de ce résumé est le coordinateur du projet, qui est responsable du contenu de ce résumé. L'ANR décline par conséquent toute responsabilité quant à son contenu.

Partenaire

TopGaN
CNRS/CRHEA CNRS/Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (CRHEA)
STMicroelectronics

Aide de l'ANR 134 362 euros
Début et durée du projet scientifique : décembre 2015 - 36 Mois

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