reCRIstallisation de couches minces de SILicium déposées sur ALliages métalliques – CRISILAL

CRISILAL a pour objectif de maîtriser la recristallisation de films minces de silicium déposés sur des alliages métalliques et de sélectionner une couche barrière suffisamment efficace pour éviter la pollution du silicium par des impuretés provenant du substrat pendant la phase de recristallisation. Trois voies de recristallisation seront étudiées : le recuit rapide dans un four à lampes, le recuit en phase solide et la fusion de zone sur un équipement constitué d'une plaque chauffée par induction en partie inférieure et d'un dispositif de chauffage localisé et mobile par lampe en partie supérieure. Le but est de mieux comprendre les mécanismes de recristallisation en phase solide et en phase liquide et de mettre au point un procédé permettant d'atteindre des tailles de grains comprises entre 10 et 100µm sans contamination du silicium par des impuretés provenant du substrat. Le projet se conclura par une évaluation de la faisabilité technique et économique d'une technologie de cellule silicium sur alliage.