Mémoires à nanocristaux auto-organisés – MÉMOIRE

Le but du projet MEMOIRE est de développer de nouvelles mémoires à grille flottante à nanocristaux en Si ou Ge visant à remplacer les mémoires flash actuelles. Cette nouvelle technologie, qui a acquis une grande maturité ces dernières années, se confronte aujourd’hui encore à des problèmes de reproductibilité, de compréhension des mécanismes de stockage des charges et de développement des composants, qui doivent être résolus avant son introduction dans l’industrie. MEMOIRE est un projet interdisciplinaire alliant l’engineering des composants à la physique pure, dans lequel les principes physiques fondamentaux sont utilisés pour lever des verrous technologiques à la frontière des applications. Ce projet permet de créer une chaîne complète de compétences de la manipulation / élaboration des NC, à la modélisation, fabrication et caractérisation électrique des transistors et des mémoires. Le principal challenge du projet est d’obtenir le contrôle parfait des structures élémentaires fabriquées afin de permettre la compréhension des mécanismes électriques locaux et la modélisation appropriée des composants. Le travail sera réparti en quatre tâches : 1) fabrication de la grille flottante à NC et des composants; 2) modélisation de la nanostructuration du substrat et auto-assemblage des NC ; 3) modélisation des dispositifs ; 4) fabrication et caractérisation électrique des dispositifs élémentaires. Grâce à la complémentarité des partenaires, le projet permettra des avancées majeures tant dans la compréhension des mécanismes de base que dans le développement de nouvelles architectures de composants. Le consortium s’attachera aussi particulièrement au transfert technologique des procédés mis en oeuvre en laboratoire vers le partenaire industriel.