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Sciences et technologies des composants nanoélectroniques et nanophotoniques (DS0710) 2014
Projet LHOM

Couches d'InAlN et hétérostructures optimisées pour la future génération de transistors hyperfréquences de puissance

L'effort de recherche du projet LHOM met en place une méthodologie inédite pour étudier les aspects matériaux et technologies qui permettront de générer la production de la prochaine génération de dispositifs à très haute fréquence sous forme de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base du matériau AlInN. Dans ce projet, trois institutions publiques se joignent à un industriel pour mener une recherche intensive et itérative qui va de l'optimisation des conditions de croissance des couches et héterostructures à la fabrication, test et validation des performances des HEMTs en terme de forte puissance en gamme d’onde millimétrique. L'origine de ce travail réside dans le fait qu'il existe encore un gap important à combler au niveau de la qualité du matériau AlInN, ce qui limite considérablement les performances des HEMTs actuels qui, par conséquent, n'atteignent pas encore une qualité commerciale suffisante malgré les très bonnes prévisions théoriques. La volonté de LHOM est de coordonner nos efforts pour mener un travail de fond, qui n'a encore été entrepris nulle part ailleurs avec l'intensité proposée afin de comprendre les propriétés basiques du ternaire AlInN et de mettre au point les conditions de croissance permettant (i) une production de couches de qualité optimale, (ii) mise au point très minutieuse des héterostructures AlInN/GaN et la réalisation de HEMTs de très haute performance. Le succès de notre démarche se trouve dans la très grande complémentarité des techniques d'investigation qui sont simultanément mises en œuvre de façon itérative pour le contrôle et l’optimisation des conditions de croissance, ainsi que de la technologie de fabrication des dispositifs HEMTs.

Partenaires

CIMAP Centre de recherche sur les ions, les matériaux et la photonique

GREYC Groupe de Recherche en Informatique, Image, Automatique et Instrumentation

III-V Lab III-V Lab

IEMN Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie

Aide de l'ANR 684 689 euros
Début et durée du projet scientifique octobre 2014 - 36 mois

 

Programme ANR : Sciences et technologies des composants nanoélectroniques et nanophotoniques (DS0710) 2014

Référence projet : ANR-14-CE26-0022

Coordinateur du projet :
Madame Magali Morales (Centre de recherche sur les ions, les matériaux et la photonique)

 

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